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Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07
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- Alta eficiencia en aplicaciones de radiofrecuencia
- Rango de frecuencia optimizado para HF
- Manejo de potencia de 12.5 watts continua
- Voltaje colector-emisor de 12.5 Vcc
- Encapsulado estándar para montaje simplificado
- Silicio NPN para estabilidad térmica
Transistor NPN de silicio diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia en el rango de alta frecuencia (HF). Opera eficientemente en el espectro de 2 a 30 MHz con una potencia de salida de 12.5 watts, ideal para etapas de potencia en transmisores, amplificadores de RF y equipos de comunicación. Su encapsulado estándar 211-07 facilita la integración en diseños existentes y nuevos desarrollos de equipos de telecomunicaciones.
Características principales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operación: 2 a 30 MHz
- Potencia máxima de salida: 12.5 watts
- Voltaje colector-emisor: 12.5 Vcc
- Encapsulado estándar 211-07 para montaje simplificado
- Alta eficiencia en operación de radiofrecuencia
Especificaciones técnicas
Tipo
Transistor de silicio NPN
Rango de frecuencia
2 - 30 MHz
Voltaje colector-emisor
12.5 Vcc
Potencia de salida
12.5 W
Encapsulado
211-07
| Alto | 1 cm |
|---|---|
| Largo | 3 cm |
| Ancho | 2 cm |
| Garantía | 3 años |
| Unidad | Pieza |
| Clave SAT | 32111607 Transistores bipolares de radiofrecuencia (rf) o darlington |